Qualcomm tampaknya menyiapkan perubahan besar pada Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, terutama untuk mengatasi panas. Baru-baru ini foto die asli bocor, memperlihatkan area SoC generasi baru ini jauh lebih besar dibanding Snapdragon 8 Elite Gen 5.

Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro Dilengkapi Heatsink

Perubahan tersebut berkaitan dengan sistem penempatan memorinya. Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro disebut meninggalkan desain PoP (Package-on-Package), sehingga DRAM tidak lagi ditumpuk di atas SoC.

Sebagai gantinya, DRAM ditempatkan di sisi SoC dan bisa mendapatkan pendinginan melalui heatsink. Desain ini menggunakan konsep Heat Pass Block (HPB), mirip dengan solusi yang digunakan Samsung pada Exynos 2600.

Dengan DRAM tidak lagi berada di atas SoC, area utama silikon memiliki ruang lebih besar untuk membuang panas. Qualcomm pun berpeluang mempertahankan clock speed CPU dan GPU lebih tinggi dalam waktu lebih lama sebelum mengalami thermal throttling.

Dampaknya bisa terasa saat gaming atau menjalankan aplikasi berat dalam durasi panjang. Jadi, peningkatan performanya tidak hanya terlihat dalam benchmark singkat, tetapi juga pada performa berkelanjutan.

Namun, perubahan ini juga membuat produsen smartphone harus mendesain ulang tata letak motherboard dan komponen internal. Ukuran serta posisi komponen baru tersebut perlu disesuaikan agar sistem pendinginan tetap optimal.

Bocoran die dengan kode SM8975 dan 101-BC juga menunjukkan dukungan LPDDR5X, bukan LPDDR6. Sementara itu, Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro diperkirakan menggunakan proses fabrikasi 2nm N2P dari TSMC, yang berpotensi membantu mengurangi konsumsi daya dan panas.

Qualcomm sendiri belum mengungkap performa resminya. Seberapa besar peningkatan efisiensi dan kemampuan mempertahankan performanya masih harus menunggu benchmark perangkat pertamanya.